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Coordenação do PPGF convida para Defesa de Dissertação de Mestrado em Física na quinta-feira

O Coordenador do Programa de Pós-Graduação em Física (PPGF), Prof. Dr Vamberto Dias de Mello, convida a comunidade universitária para prestigiar a defesa de defesa de dissertação de Mestrado em Física do discente Valber da Silva Gomes, que acontecerá quinta-feira, a partir das 16h no prédio do PRODEPE, da Faculdade de Ciências Exatas e Naturais, no Campus Central da Universidade do Estado do Rio Grande do Norte.

Segundo o Coordenador do PPGF, o discente Valber Gomes defenderá o “Estudo das propriedades estruturais, eletrônicas e vibracionais do cristal anidro da uracila”. A banca examinadora será presidida pelo Professor orientador Dr. José Alzamir Pereira da Costa e conta com a participação do Professor Dr. Roner Ferreira da Costa (examinador externo – UFERSA) e do Professor Dr. Thomas Dumellow (examinador interno – UERN).

Resumo da dissertação:

A base nitrogenada uracila (U) juntamente com as demais bases nucleotídicas, guanina (G), adenina (A) e citosina (C) constituem os blocos essenciais da molécula do ácido ribonucléico, ARN, que é responsável pelo transporte da informação genética nas células dos seres vivos. Filamentos do ARN são promissores candidatos para a fabricação de nanodispositivos na industria eletrônica e fotônica, visto que seus cristais têm características semicondutoras bastante atrativas na área de eletrônica orgânicos. Aqui são apresentadas as propriedades estruturais, eletrônicas e vibracionais do cristal anidro da uracila obtidas após a realização de cálculos baseados na teoria do funcional da densidade (DFT do inglês Density Functional Theory). Os cálculos teóricos da presente dissertação foram desenvolvidos usando o pacote CASTEP, baseado na teoria DFT. Na descrição do potencial de troca e correlação foi utilizada a aproximação do gradiente generalizado (GGA, do inglês Generalized Gradient Approximation). Os resultados obtidos no presente trabalho mostram que o cristal anidro da uracila possui um gapde energia indireto estimado em 3,45 eV se caracterizando como um semicondutor de gap largo.

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